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• 發布時間：2022-06-20 19:35
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【概要描述】目前，消費類電子電源適配器產品在市場應用中排名第一。AOS代理據悉，MOS管的第二個應用領域是計算機主板、Nb、計算機適配器、LCD顯示器等產品。隨著我國國情的發展，MOS管對計算機主板、計算機適配器和LCD顯示屏的需求量超過了消費電子電源適配器。第三個領域是網絡通信、工業控制、汽車電子和電力設備。這些產品對MOS管也有很大的需求。特別是現在，汽車電子對MOS管的需求正趕上消費電子的需求。

FET的特性：

（1）FET是一種電壓控制器件，通過VG（柵源電壓）。

（2）FET的控制輸入電流非常小，所以它的輸入電阻（107~1012Ω）非常大（3）它使用大多數載流子導電，所以它的溫度穩定性很好。

（4）由它組成的放大電路的電壓放大系數小于由三極管組成的放大電路的電壓放大系數。

（5）FET的輻射電阻很強。

（6）由于沒有無序運動的電子擴散引起的散粒噪聲，所以噪聲很低。

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? ? ? ?總之，FET的工作原理是“流經漏源極間溝道的ID，用于控制由柵極和溝道間的PN結形成的反向偏置柵極電壓”。更準確地說，流經溝道的ID寬度，即溝道橫截面積，由PN結反向偏置的變化控制，從而導致耗盡層膨脹的變化。在VGS=0的非飽和區域，過渡層的膨脹不是很大。根據VDS加在漏極和源極之間的電場，源極區域中的一些電子被漏極拉走，即有電流從漏極流向源極。從柵極延伸到漏極的過渡層將通道的一部分形成阻塞型，ID飽和。這種狀態稱為掐斷。這意味著過渡層阻塞了通道的一部分，而不是切斷電流，因為過渡層中沒有電子和空穴的自由運動，在理想狀態下幾乎具有絕緣特性，并且電流通常很難流動。然而，此時，漏極和源極之間的電場實際上是兩個過渡層在漏極和柵極下部附近接觸，被漂移電場拉走的高速電子通過過渡層。ID的飽和是因為漂移電場的強度幾乎是恒定的。其次，VGS變為負方向，讓VGS=VGS（off），過渡層大致覆蓋整個區域。此外，VDS的大部分電場被添加到過渡層，將電子拉向漂移方向的電場只有靠近源的一小部分，這使得電流無法流動。

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MOS開關：

MOS最顯著的特點是其良好的開關特性，因此被廣泛應用于需要電子開關的電路中，如開關電源和電機驅動，以及照明調光?，F在對Mo驅動有幾個特殊要求。在低壓應用中使用5V電源時，如果使用傳統的圖騰柱結構，三極管的be為0.5，壓降約為7V，實際施加到柵極的最終電壓僅為4.3v。此時，當我們選擇標稱柵極電壓為4.5V的MOS晶體管時，存在一定的風險。使用3V或其他低壓電源時也會出現同樣的問題。

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FET的功能：

1、 FET可用于放大，由于FET放大器的高輸入阻抗，耦合電容可能很小，因此不需要使用電解電容器。

2、FET的高輸入阻抗非常適合進行阻抗轉換。它通常用于多級放大器的輸入級進行阻抗轉換。

3、FET可用作可變電阻器。

4、FET可以方便地用作恒流源。

5、FET可用作電子開關。

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MOS管故障：

MOS管的源極和漏極可以切換。它們是在p型背柵中形成的n型區域。在大多數情況下，這兩個區域是相同的，即使兩端切換，設備的性能也不會受到影響。這種裝置被認為是對稱的。

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